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M29F200FT55M3E2

M29F200FT55M3E2

僅供參考

型號 M29F200FT55M3E2
PNEDA編號 M29F200FT55M3E2
描述 IC FLASH 2M PARALLEL 44SO
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29F200FT55M3E2資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29F200FT55M3E2
類別半導體內存IC內存
數據表
M29F200FT55M3E2, M29F200FT55M3E2數據表 (總頁數: 56, 大小: 679.14 KB)
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M29F200FT55M3E2規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小2Mb (256K x 8, 128K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)
供應商設備包裝44-SO

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4Kb (256 x 8 x 2)

內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

32Mb (1M x 32, 2M x 16)

內存接口

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時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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包裝/箱

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制造商

Maxim Integrated

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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