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M29F400FT55M3E2

M29F400FT55M3E2

僅供參考

型號 M29F400FT55M3E2
PNEDA編號 M29F400FT55M3E2
描述 IC FLASH 4M PARALLEL 44SO
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29F400FT55M3E2資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29F400FT55M3E2
類別半導體內存IC內存
數據表
M29F400FT55M3E2, M29F400FT55M3E2數據表 (總頁數: 56, 大小: 679.14 KB)
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M29F400FT55M3E2規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小4Mb (512K x 8, 256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)
供應商設備包裝44-SO

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

N25Q064A13ESEC0G

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (16M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR2

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-TFBGA

供應商設備包裝

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