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M29F800DB70M6E

M29F800DB70M6E

僅供參考

型號 M29F800DB70M6E
PNEDA編號 M29F800DB70M6E
描述 IC FLASH 8M PARALLEL 44SO
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29F800DB70M6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29F800DB70M6E
類別半導體內存IC內存

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M29F800DB70M6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小8Mb (1M x 8, 512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-SOIC (0.525", 13.34mm Width)
供應商設備包裝44-SO

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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時鐘頻率

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