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M29F800DB70N6E

M29F800DB70N6E

僅供參考

型號 M29F800DB70N6E
PNEDA編號 M29F800DB70N6E
描述 IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29F800DB70N6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29F800DB70N6E
類別半導體內存IC內存

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M29F800DB70N6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小8Mb (1M x 8, 512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

66-TSOP II

RC28F256J3D95B TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

StrataFlash™

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

95ns

訪問時間

95ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

SkyHigh Memory Limited

系列

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內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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