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M29W010B70K6E

M29W010B70K6E

僅供參考

型號 M29W010B70K6E
PNEDA編號 M29W010B70K6E
描述 IC FLASH 1M PARALLEL 32PLCC
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W010B70K6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W010B70K6E
類別半導體內存IC內存

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M29W010B70K6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝32-PLCC (11.35x13.89)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

供應商設備包裝

32-VSOP

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

32Gb (512M x 64)

內存接口

-

時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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制造商

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

1Kb (64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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