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M29W128GSL70ZS6E

M29W128GSL70ZS6E

僅供參考

型號 M29W128GSL70ZS6E
PNEDA編號 M29W128GSL70ZS6E
描述 IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W128GSL70ZS6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W128GSL70ZS6E
類別半導體內存IC內存

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M29W128GSL70ZS6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8, 8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (11x13)

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FLASH

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ms

訪問時間

150ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

32-TSOP

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

供應商設備包裝

32-SOJ

USBF129-V/SNVAO

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

30MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR3

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

300µs, 6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.25V ~ 2.75V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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