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M29W200BB70N1

M29W200BB70N1 M29W200BB70N1

僅供參考

型號 M29W200BB70N1
PNEDA編號 M29W200BB70N1
描述 IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W200BB70N1資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W200BB70N1
類別半導體內存IC內存

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M29W200BB70N1規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小2Mb (256K x 8, 128K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.3V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFBGA, CSPBGA

供應商設備包裝

56-FBGA, CSP (7x9)

24LC02B-I/P

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-PDIP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存大小

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-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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安裝類型

-

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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