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M29W256GH7AZS6E

M29W256GH7AZS6E

僅供參考

型號 M29W256GH7AZS6E
PNEDA編號 M29W256GH7AZS6E
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W256GH7AZS6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W256GH7AZS6E
類別半導體內存IC內存

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M29W256GH7AZS6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (32M x 8, 16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (11x13)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

250ns

電壓-供電

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.1ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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