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M29W256GL7AZA6E

M29W256GL7AZA6E

僅供參考

型號 M29W256GL7AZA6E
PNEDA編號 M29W256GL7AZA6E
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,550
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W256GL7AZA6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W256GL7AZA6E
類別半導體內存IC內存

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M29W256GL7AZA6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (32M x 8, 16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-TBGA
供應商設備包裝64-TBGA (10x13)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

200ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

32Mb (512 Bytes x 8192 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

8µs, 4ms

訪問時間

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電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

64Mb (2M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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