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M29W400DB55N6E

M29W400DB55N6E

僅供參考

型號 M29W400DB55N6E
PNEDA編號 M29W400DB55N6E
描述 IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,599
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W400DB55N6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W400DB55N6E
類別半導體內存IC內存

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M29W400DB55N6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小4Mb (512K x 8, 256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存類型

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

AT24C16AN-10SI-1.8

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

4.5µs

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

CY62148G30-45SXI

Cypress Semiconductor

制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)

供應商設備包裝

32-SOIC

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

FL-S

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

SST39WF1602-90-4C-B3KE

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

40µs

訪問時間

90ns

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-TFBGA

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