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M29W800DB70N6T TR

M29W800DB70N6T TR

僅供參考

型號 M29W800DB70N6T TR
PNEDA編號 M29W800DB70N6T-TR
描述 IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W800DB70N6T TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W800DB70N6T TR
類別半導體內存IC內存
數據表
M29W800DB70N6T TR, M29W800DB70N6T TR數據表 (總頁數: 52, 大小: 1,071.54 KB)
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M29W800DB70N6T TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小8Mb (1M x 8, 512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存接口

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時鐘頻率

3MHz

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訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

NAND128W3A0BN6E

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

50ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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制造商

Microchip Technology

系列

SST25

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

-

電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

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時鐘頻率

133MHz

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訪問時間

4.2ns

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