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M58BW32FB5T3T TR

M58BW32FB5T3T TR

僅供參考

型號 M58BW32FB5T3T TR
PNEDA編號 M58BW32FB5T3T-TR
描述 IC FLASH 32M PARALLEL 80PQFP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,690
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M58BW32FB5T3T TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M58BW32FB5T3T TR
類別半導體內存IC內存

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M58BW32FB5T3T TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小32Mb (1M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.5V ~ 3.3V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱80-BQFP
供應商設備包裝80-PQFP (19.9x13.9)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

1200MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

7.5ns

電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

40-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

30µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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