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M58LT256KST7ZA6E

M58LT256KST7ZA6E

僅供參考

型號 M58LT256KST7ZA6E
PNEDA編號 M58LT256KST7ZA6E
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M58LT256KST7ZA6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M58LT256KST7ZA6E
類別半導體內存IC內存
數據表
M58LT256KST7ZA6E, M58LT256KST7ZA6E數據表 (總頁數: 108, 大小: 1,988.1 KB)
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M58LT256KST7ZA6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率52MHz
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-TBGA
供應商設備包裝64-TBGA (10x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

125MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7ns

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 2.4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 2.1V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM

內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

256Gb (32G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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