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M58WR064KB70ZB6E

M58WR064KB70ZB6E

僅供參考

型號 M58WR064KB70ZB6E
PNEDA編號 M58WR064KB70ZB6E
描述 IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 11 - 十一月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M58WR064KB70ZB6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M58WR064KB70ZB6E
類別半導體內存IC內存
數據表
M58WR064KB70ZB6E, M58WR064KB70ZB6E數據表 (總頁數: 111, 大小: 3,069.98 KB)
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M58WR064KB70ZB6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率66MHz
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-VFBGA
供應商設備包裝56-VFBGA (7.7x9)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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電壓-供電

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

15ns

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工作溫度

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