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MAQ4123YME-TRVAO

MAQ4123YME-TRVAO

僅供參考

型號 MAQ4123YME-TRVAO
PNEDA編號 MAQ4123YME-TRVAO
描述 IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 17,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MAQ4123YME-TRVAO資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MAQ4123YME-TRVAO
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器

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MAQ4123YME-TRVAO規格

制造商Microchip Technology
系列Automotive, AEC-Q100
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.4V
電流-峰值輸出(源極,接收器)3A, 3A
輸入類型Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)11ns, 11ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
供應商設備包裝8-SOIC-EP

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Microchip Technology

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4.5A, 4.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

12ns, 12ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

210mA, 360mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

100ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Maxim Integrated

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 15V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

32ns, 26ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

6A, 6A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

12ns, 13ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

供應商設備包裝

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IXYS

制造商

IXYS

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 35V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

14A, 14A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

25ns, 22ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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