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MAT01GHZ

MAT01GHZ

僅供參考

型號 MAT01GHZ
PNEDA編號 MAT01GHZ
描述 TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
制造商 Analog Devices
單價 請求報價
庫存 12,816
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MAT01GHZ資源

品牌 Analog Devices
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MAT01GHZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
MAT01GHZ, MAT01GHZ數據表 (總頁數: 12, 大小: 228.84 KB)
PDFMAT01AH數據表 封面
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MAT01GHZ規格

制造商Analog Devices Inc.
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual) Matched Pair
當前-集電極(Ic)(最大值)25mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)400nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大500mW
頻率-過渡450MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝TO-78-6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

230mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

4.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

270mV @ 125mA, 4.5A

當前-集電極截止(最大值)

25nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2A, 2V

功率-最大

1.7W

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)

當前-集電極(Ic)(最大值)

2.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 50mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2A, 2V

功率-最大

1.25W

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工作溫度

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