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MAT03EHZ

MAT03EHZ

僅供參考

型號 MAT03EHZ
PNEDA編號 MAT03EHZ
描述 TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6
制造商 Analog Devices
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MAT03EHZ資源

品牌 Analog Devices
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MAT03EHZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
MAT03EHZ, MAT03EHZ數據表 (總頁數: 12, 大小: 575.92 KB)
PDFMAT03FHZ數據表 封面
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MAT03EHZ規格

制造商Analog Devices Inc.
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)36V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大500mW
頻率-過渡190MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝TO-78-6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

11V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

380mW

頻率-過渡

100MHz

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

180MHz, 140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.4V @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

30nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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