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MB85RS128BPNF-G-JNE1

MB85RS128BPNF-G-JNE1

僅供參考

型號 MB85RS128BPNF-G-JNE1
PNEDA編號 MB85RS128BPNF-G-JNE1
描述 IC FRAM 128K SPI 33MHZ 8SOP
制造商 Fujitsu Electronics
單價 請求報價
庫存 3,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MB85RS128BPNF-G-JNE1資源

品牌 Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MB85RS128BPNF-G-JNE1
類別半導體內存IC內存

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MB85RS128BPNF-G-JNE1規格

制造商Fujitsu Electronics America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FRAM
技術FRAM (Ferroelectric RAM)
內存大小128Kb (16K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率33MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

8.4ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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