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MB85RS1MTPW-G-APEWE1

MB85RS1MTPW-G-APEWE1

僅供參考

型號 MB85RS1MTPW-G-APEWE1
PNEDA編號 MB85RS1MTPW-G-APEWE1
描述 IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8WLP
制造商 Fujitsu Electronics
單價 請求報價
庫存 105,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MB85RS1MTPW-G-APEWE1資源

品牌 Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MB85RS1MTPW-G-APEWE1
類別半導體內存IC內存
數據表
MB85RS1MTPW-G-APEWE1, MB85RS1MTPW-G-APEWE1數據表 (總頁數: 40, 大小: 1,695.91 KB)
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MB85RS1MTPW-G-APEWE1規格

制造商Fujitsu Electronics America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FRAM
技術FRAM (Ferroelectric RAM)
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率40MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-XFBGA, WLCSP
供應商設備包裝8-WLP (2.28x3.09)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

130-VFBGA

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

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安裝類型

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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