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MB9AF116MAPMC-G-JNE2

MB9AF116MAPMC-G-JNE2

僅供參考

型號 MB9AF116MAPMC-G-JNE2
PNEDA編號 MB9AF116MAPMC-G-JNE2
描述 MM MICROCONTROLLER
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 8 - 二月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MB9AF116MAPMC-G-JNE2資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MB9AF116MAPMC-G-JNE2
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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MB9AF116MAPMC-G-JNE2規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列FM3 MB9A110A
核心處理器ARM® Cortex®-M3
核心大小32-Bit
速度40MHz
連接性CSIO, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART
外圍設備DMA, LVD, POR, PWM, WDT
I / O數量66
程序存儲器大小512KB (512K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小32K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)-
數據轉換器A/D 12x12b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱80-LQFP
供應商設備包裝80-LQFP (12x12)

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外圍設備

DMA, PWM, WDT

I / O數量

112

程序存儲器大小

512KB (512K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

64K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 8x12b

振蕩器類型

External

工作溫度

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安裝類型

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連接性

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外圍設備

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I / O數量

25

程序存儲器大小

28KB (16K x 14)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

256 x 8

RAM大小

1K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.8V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 11x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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核心大小

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速度

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連接性

LINbus, SIO, UART/USART

外圍設備

POR, PWM, Voltage Detect, WDT

I / O數量

25

程序存儲器大小

8KB (8K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

1K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.2V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 9x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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包裝/箱

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核心大小

8-Bit

速度

20MHz

連接性

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外圍設備

Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT

I / O數量

40

程序存儲器大小

32KB (32K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

1.375K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.4V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 7x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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程序存儲器大小

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EEPROM大小

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