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MBC13900NT1

MBC13900NT1

僅供參考

型號 MBC13900NT1
PNEDA編號 MBC13900NT1
描述 RF TRANS NPN 6.5V 15GHZ SOT343
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 11 - 四月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBC13900NT1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBC13900NT1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MBC13900NT1, MBC13900NT1數據表 (總頁數: 24, 大小: 799.06 KB)
PDFMBC13900NT1數據表 封面
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MBC13900NT1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)6.5V
頻率-過渡15GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz
增益15dB ~ 22dB
功率-最大188mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 5mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝SOT-343

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-523

供應商設備包裝

SOT-523

LM3046M/NOPB

Texas Instruments

制造商

系列

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5 NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

42GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz

增益

24dB

功率-最大

160mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 25mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

2GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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