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MBR10100G

MBR10100G

僅供參考

型號 MBR10100G
PNEDA編號 MBR10100G
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220-2
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 101,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR10100G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR10100G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR10100G, MBR10100G數據表 (總頁數: 5, 大小: 183.64 KB)
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MBR10100G規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220-2
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

200pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

4V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

120ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

8.5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-220AA

供應商設備包裝

DO-220AA (SMP)

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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