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MBR12035 CTR

MBR12035 CTR

僅供參考

型號 MBR12035 CTR
PNEDA編號 MBR12035-CTR
描述 DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,310
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR12035 CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR12035 CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR12035 CTR, MBR12035 CTR數據表 (總頁數: 3, 大小: 718.15 KB)
PDFMBR12035CT數據表 封面
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MBR12035 CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)120A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果650mV @ 120A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3mA @ 20V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

50mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 20V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

36.8V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 44800V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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50V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

3.75A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 1200V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 60V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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