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MBR200150CTR

MBR200150CTR

僅供參考

型號 MBR200150CTR
PNEDA編號 MBR200150CTR
描述 DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,848
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR200150CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR200150CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MBR200150CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3mA @ 150V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 80V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 2500V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.03V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

910mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.25mA @ 80V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

320mV @ 1mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 2V

工作溫度-結點

150°C (Max)

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