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MBR20020CT

MBR20020CT

僅供參考

型號 MBR20020CT
PNEDA編號 MBR20020CT
描述 DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,250
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR20020CT資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR20020CT
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR20020CT, MBR20020CT數據表 (總頁數: 3, 大小: 536.75 KB)
PDFMBR20040CTR數據表 封面
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MBR20020CT規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果650mV @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.43V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 150V

工作溫度-結點

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安裝類型

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30mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

370mV @ 1mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 80V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 35V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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