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MBR20200CTG

MBR20200CTG

僅供參考

型號 MBR20200CTG
PNEDA編號 MBR20200CTG
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 98,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR20200CTG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR20200CTG
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR20200CTG, MBR20200CTG數據表 (總頁數: 6, 大小: 227.42 KB)
PDFMBR20200CT數據表 封面
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MBR20200CTG規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 200V
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

700ps

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 20V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 35V

工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 80V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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