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MBR20H200CT C0G

MBR20H200CT C0G

僅供參考

型號 MBR20H200CT C0G
PNEDA編號 MBR20H200CT-C0G
描述 DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 18,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR20H200CT C0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR20H200CT C0G
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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MBR20H200CT C0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果970mV @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 30V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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1 Pair Common Cathode

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

280µA @ 80V

工作溫度-結點

175°C (Max)

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

工作溫度-結點

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 15A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

480µA @ 45V

工作溫度-結點

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Through Hole

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