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MBR2X120A120

MBR2X120A120

僅供參考

型號 MBR2X120A120
PNEDA編號 MBR2X120A120
描述 DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR2X120A120資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR2X120A120
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MBR2X120A120規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置2 Independent
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)120A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 120A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3mA @ 120V
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 200V

工作溫度-結點

-40°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

12V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10000V

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

80ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 800V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

930mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 120V

工作溫度-結點

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5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 2.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 400V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

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