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MBR300100CTR

MBR300100CTR

僅供參考

型號 MBR300100CTR
PNEDA編號 MBR300100CTR
描述 DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,550
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR300100CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR300100CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR300100CTR, MBR300100CTR數據表 (總頁數: 3, 大小: 711.92 KB)
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MBR300100CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)300A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果840mV @ 150A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr8mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.48V @ 200A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 1200V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

D1

供應商設備包裝

D1

MUR30020CTR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

300A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

90ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

工作溫度-結點

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安裝類型

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包裝/箱

Twin Tower

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二極管配置

3 Independent

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 80V

工作溫度-結點

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 80V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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