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MBR300150CTR

MBR300150CTR

僅供參考

型號 MBR300150CTR
PNEDA編號 MBR300150CTR
描述 DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR300150CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR300150CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR300150CTR, MBR300150CTR數據表 (總頁數: 3, 大小: 697.46 KB)
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MBR300150CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)150A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 150A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3mA @ 150V
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

300A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

8mA @ 20V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

610mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 60V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

970mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 120V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

930mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 100V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.2V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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