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MBR300200CT

MBR300200CT

僅供參考

型號 MBR300200CT
PNEDA編號 MBR300200CT
描述 DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR300200CT資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR300200CT
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR300200CT, MBR300200CT數據表 (總頁數: 3, 大小: 697.46 KB)
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MBR300200CT規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)150A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 150A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3mA @ 200V
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.2V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

90ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 600V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 35V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AD (TO-3P)

BAT54CWT1G

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制造商

ON Semiconductor

系列

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

安裝類型

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1 Pair Common Cathode

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

70V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

215mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

645mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 60V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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