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MBR30035CT

MBR30035CT

僅供參考

型號 MBR30035CT
PNEDA編號 MBR30035CT
描述 DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR30035CT資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR30035CT
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR30035CT, MBR30035CT數據表 (總頁數: 3, 大小: 711.5 KB)
PDFMBR30020CT數據表 封面
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MBR30035CT規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果650mV @ 150A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr8mA @ 20V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 60V

工作溫度-結點

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安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 80V

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5nA @ 75V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 70V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

100mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 75V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

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