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MBR30060CTR

MBR30060CTR

僅供參考

型號 MBR30060CTR
PNEDA編號 MBR30060CTR
描述 DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR30060CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR30060CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MBR30060CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)300A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 150A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr8mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

760mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 35V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

690mV @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 40V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Chassis Mount

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制造商

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

100A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 50A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

110ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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