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MBR30H100CTHE3/45

MBR30H100CTHE3/45

僅供參考

型號 MBR30H100CTHE3/45
PNEDA編號 MBR30H100CTHE3-45
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR30H100CTHE3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR30H100CTHE3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MBR30H100CTHE3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果820mV @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

工作溫度-結點

175°C (Max)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 250A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 600V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 400V

工作溫度-結點

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 75A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

670mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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