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MBR30H100MFST3G

MBR30H100MFST3G

僅供參考

型號 MBR30H100MFST3G
PNEDA編號 MBR30H100MFST3G
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR30H100MFST3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR30H100MFST3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR30H100MFST3G, MBR30H100MFST3G數據表 (總頁數: 5, 大小: 85.4 KB)
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MBR30H100MFST3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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300mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 300mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 30V

電容@ Vr,F

22pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-923

供應商設備包裝

SOD-923

工作溫度-結點

150°C (Max)

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Schottky

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45V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

電容@ Vr,F

760pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

10A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

180µA @ 650V

電容@ Vr,F

300pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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