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MBR3100VRTR-G1

MBR3100VRTR-G1

僅供參考

型號 MBR3100VRTR-G1
PNEDA編號 MBR3100VRTR-G1
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR3100VRTR-G1資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR3100VRTR-G1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR3100VRTR-G1, MBR3100VRTR-G1數據表 (總頁數: 7, 大小: 300.9 KB)
PDFMBR3100VRTR-E1數據表 封面
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MBR3100VRTR-G1規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果850mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 400V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

95ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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600V

電流-平均整流(Io)

600mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 600mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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