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MBR400100CT

MBR400100CT

僅供參考

型號 MBR400100CT
PNEDA編號 MBR400100CT
描述 DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價
1 ---------- $1,205.8298
50 ---------- $1,149.3065
100 ---------- $1,092.7832
200 ---------- $1,036.2600
400 ---------- $989.1572
500 ---------- $942.0545
庫存 50
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR400100CT資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR400100CT
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR400100CT, MBR400100CT數據表 (總頁數: 3, 大小: 676.47 KB)
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MBR400100CT規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)400A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果840mV @ 200A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 20V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1.6ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

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1100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 3000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

22µs

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 2200V

工作溫度-結點

-

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160A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 800V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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300A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

工作溫度-結點

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