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MBR400200CTR

MBR400200CTR

僅供參考

型號 MBR400200CTR
PNEDA編號 MBR400200CTR
描述 DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR400200CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR400200CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MBR400200CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 200A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3mA @ 200V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

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3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 40V

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安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 800V

工作溫度-結點

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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