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MBR40030CTRL

MBR40030CTRL

僅供參考

型號 MBR40030CTRL
PNEDA編號 MBR40030CTRL
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 200A 2 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR40030CTRL資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR40030CTRL
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MBR40030CTRL規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果580mV @ 200A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3mA @ 30V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

160A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 160A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1400V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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