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MBR50080CTR

MBR50080CTR

僅供參考

型號 MBR50080CTR
PNEDA編號 MBR50080CTR
描述 DIODE MODULE 80V 500A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR50080CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR50080CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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PDFMBR50080CTR數據表 封面
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MBR50080CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)500A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 250A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

610mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管配置

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.95V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

13.7ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 300V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

110A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

480mV @ 110A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 30V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.17V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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