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MBR5200VP-E1

MBR5200VP-E1

僅供參考

型號 MBR5200VP-E1
PNEDA編號 MBR5200VP-E1
描述 DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR5200VP-E1資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR5200VP-E1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR5200VP-E1, MBR5200VP-E1數據表 (總頁數: 8, 大小: 460.2 KB)
PDFMBR5200VPTR-G1數據表 封面
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MBR5200VP-E1規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AA, DO-27, Axial
供應商設備包裝DO-27
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 60V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

710mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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