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MBR540MFST1G

MBR540MFST1G

僅供參考

型號 MBR540MFST1G
PNEDA編號 MBR540MFST1G
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 5A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,182
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR540MFST1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR540MFST1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR540MFST1G, MBR540MFST1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 105.79 KB)
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MBR540MFST1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果580mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2mA @ 40V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

18.4V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 15000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Powerex Inc.

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1400V

電流-平均整流(Io)

2500A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

22µs

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 1400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

POW-R-BLOK™ Module

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

490mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

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