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MBR600100CTR

MBR600100CTR

僅供參考

型號 MBR600100CTR
PNEDA編號 MBR600100CTR
描述 DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR600100CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR600100CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR600100CTR, MBR600100CTR數據表 (總頁數: 3, 大小: 716.87 KB)
PDFMBR60080CTR數據表 封面
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MBR600100CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)300A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 300V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

80A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 20V

工作溫度-結點

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安裝類型

Chassis Mount

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7500V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

400mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

10V @ 200mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 7500V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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1200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

45A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.1V @ 45A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

125ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 1200V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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