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MBR60030CTRL

MBR60030CTRL

僅供參考

型號 MBR60030CTRL
PNEDA編號 MBR60030CTRL
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR60030CTRL資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR60030CTRL
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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MBR60030CTRL規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)300A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果580mV @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3mA @ 30V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 200V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 165A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

工作溫度-結點

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安裝類型

Chassis Mount

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

830mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 170V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

10V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 10000V

工作溫度-結點

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