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MBR60060CTR

MBR60060CTR

僅供參考

型號 MBR60060CTR
PNEDA編號 MBR60060CTR
描述 DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,316
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR60060CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR60060CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR60060CTR, MBR60060CTR數據表 (總頁數: 3, 大小: 716.87 KB)
PDFMBR60080CTR數據表 封面
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MBR60060CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)300A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

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5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

36A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.38V @ 80A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 1400V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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