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MBR835RL

MBR835RL

僅供參考

型號 MBR835RL
PNEDA編號 MBR835RL
描述 DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO201AD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR835RL資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR835RL
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR835RL, MBR835RL數據表 (總頁數: 4, 大小: 138.23 KB)
PDFMBR835RL數據表 封面
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MBR835RL規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果550mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 35V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AA, DO-27, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-65°C ~ 125°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

80µA @ 45V

電容@ Vr,F

400pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

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700mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

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當前-反向泄漏@ Vr

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當前-反向泄漏@ Vr

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