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MBRB10H100-E3/81

MBRB10H100-E3/81

僅供參考

型號 MBRB10H100-E3/81
PNEDA編號 MBRB10H100-E3-81
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO236AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 18,132
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRB10H100-E3/81資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRB10H100-E3/81
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBRB10H100-E3/81, MBRB10H100-E3/81數據表 (總頁數: 5, 大小: 145.09 KB)
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MBRB10H100-E3/81規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果770mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr4.5µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

電容@ Vr,F

760pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 600V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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