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MBRB10H50HE3/45

MBRB10H50HE3/45

僅供參考

型號 MBRB10H50HE3/45
PNEDA編號 MBRB10H50HE3-45
描述 DIODE SCHOTTKY TO-263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRB10H50HE3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRB10H50HE3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBRB10H50HE3/45, MBRB10H50HE3/45數據表 (總頁數: 5, 大小: 124.4 KB)
PDFMBRF10H50HE3/45數據表 封面
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MBRB10H50HE3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列*
二極管類型-
電壓-直流反向(Vr)(最大值)-
電流-平均整流(Io)-
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
速度-
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

25pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

R-1, Axial

供應商設備包裝

R-1

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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制造商

Sanken

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1.2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

18µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

Axial

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Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

250A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

11µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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