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MBRB7H35HE3/45

MBRB7H35HE3/45

僅供參考

型號 MBRB7H35HE3/45
PNEDA編號 MBRB7H35HE3-45
描述 DIODE SCHOTTKY TO-263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,498
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRB7H35HE3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRB7H35HE3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBRB7H35HE3/45, MBRB7H35HE3/45數據表 (總頁數: 5, 大小: 116.22 KB)
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MBRB7H35HE3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列*
二極管類型-
電壓-直流反向(Vr)(最大值)-
電流-平均整流(Io)-
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
速度-
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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200V

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1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1µs

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 100V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2000V

電流-平均整流(Io)

400A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 2000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-

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制造商

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系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1200V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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Surface Mount

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