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MBRD1035CTLT4G

MBRD1035CTLT4G

僅供參考

型號 MBRD1035CTLT4G
PNEDA編號 MBRD1035CTLT4G
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V 5A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRD1035CTLT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRD1035CTLT4G
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRD1035CTLT4G, MBRD1035CTLT4G數據表 (總頁數: 6, 大小: 132.3 KB)
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MBRD1035CTLT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果470mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2mA @ 35V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 2000V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

18A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

6ns

當前-反向泄漏@ Vr

2.5µA @ 70V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

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8000V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

8V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 8000V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 120V

工作溫度-結點

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